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关于萃锦
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  • 功率器件参数测试
  • 服务介绍:

    随着技术发展,第三代半导体功率器件开始由实验室阶段步入商业应用,未来应用潜力巨大,这些新型器件测试要求更高的电压和功率水平,更快的开关时间。

    测试周期:

    根据标准、试验条件及被测样品量确定。

    产品范围:

    MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半导体器件等分立器件,以及上述元件构成的功率模块。

    测试项目:

    静态参数符号
    Drain to Source Breakdown VoltageBVDSS
    Drain Leakage CurrentIDSS
    Gate Leakage CurrentIGSS
    Gate Threshold VoltageVGS(th)
    Drain to Source On ResistanceRDS(on)
    Drain to Source On VoltageVDS(on)
    Body Diode Forward VoltageVSD
    Internal Gate ResistanceRg
    Input capacitanceCies
    Output capacitanceCoes
    Reverse transfer capacitanceCres
    Transconductancegfs
    Gate to Source Plateau VoltageVgs(pl)
    动态参数符号
    Turn-on delay timetd(on)
    Rise timetr
    Turn-off delay timetd(off)
    Fall timetf
    Turn-on energyEon
    Turn-off energyEoff
    Diode reverse recovery timetrr
    Diode reverse recovery chargeQrr
    Diode peak reverse recovery currentIrrm
    Diode peak rate of fall of reverse
    recovery current
    dirr/dt
    Total gate chargeQG
    Gate-Emitter chargeQGC
    Gate-Collector chargeQGE



  • <前一个:无
    >后一个:无
  • 上海(研发/应用/销售中心)

    地址:长宁区协和路789号中山国际广场B座605室

    邮箱:inquiry@bestirpower.com

    电话:17321390308

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