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产品介绍
SJ MOSFET SiC MOSFET SiC Diode 中低压MOS IGBT IGBT Module SiC Module Wafer TMBS
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中低压MOS

产品特性:

● SGT MOS:超低 Rds (on),200kHz + 高频能力,宽 SOA,支持多管并联均流。

● Trench MOS:沟槽工艺,高雪崩耐量,抗闩锁,阈值一致性好。

产品优势:

● SGT MOS:高效低发热,散热器缩减 30%+;多封装;面向工业电源、BLDC、锂电保护。

● Trench MOS:高性价比,驱动简易;适配充电器、适配器、小家电等中小功率应用。

  • Product
    Data Sheet
    Family
    Package
    Polarity
    VDS

    max

    ID @25℃
    RDS(on)

    max

    QG
    VGS(th)

    max

    Ciss
  • Data Sheet
    SGT
    Trench
    TO220F
    TO220
    D²PAK
    DPAK
    TO247-3
    DFN3*3
    DFN5*6
    TOLL
    TOLT
    N
    P
    -200V
    -150V
    -100V
    -60V
    -40V
    -30V
    20V
    30V
    40V
    60V
    80V
    100V
    150V
    200V
    250V

      ●

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      ●

      |

      ●

  • BTT04PL041SR1
    Trench
    TOLL
    P
    -40V
    /
    4.15mΩ
    156nC
    /
    4768pF
  • BST04N009SK1
    SGT
    TOLL
    N
    40V
    300A
    0.95mΩ
    75nC
    2.5V
    6587pF
  • BSS04N010SA1
    SGT
    DFN5*6
    N
    40V
    232A
    1.05mΩ
    87nC
    2V
    6120pF
  • BSS04N013SZ1
    SGT
    DFN5*6
    N
    40V
    247A
    1.3mΩ
    90.4nC
    3.8V
    6744pF
  • BSS04N014SA1
    SGT
    DFN5*6
    N
    40V
    190A
    1.45mΩ
    87nC
    2V
    6120pF
  • BSS06N016SA1
    SGT
    DFN5*6
    N
    60V
    203A
    1.6mΩ
    64nC
    3.4V
    4600pF
  • BST10N015SK1
    SGT
    TOLL
    N
    100V
    420A
    1.5mΩ
    262nC
    4V
    15995pF
  • BST10NH018SK1
    SGT
    TOLL
    N
    100V
    330A
    1.8mΩ
    181nC
    4V
    11304pF
  • BSB10NH025SK1
    SGT
    D²PAK
    N
    100V
    280A
    2.5mΩ
    185.5nC
    4V
    11389pF
  • BSB10NH027SK1
    SGT
    D²PAK
    N
    100V
    245A
    2.7mΩ
    141nC
    4V
    8749pF
  • BSP10NH028SK1
    SGT
    TO220
    N
    100V
    265A
    2.8mΩ
    167nC
    4V
    10753pF
  • BST10NH032SK1
    SGT
    TOLL
    N
    100V
    210A
    3.2mΩ
    121nC
    4V
    7483pF
  • BSS10N038SA1
    SGT
    DFN5*6
    N
    100V
    125A
    3.8mΩ
    59nC
    4V
    4800pF
  • BSP10NH045SK1
    SGT
    TO220
    N
    100V
    180A
    4.5mΩ
    107nC
    4V
    7232pF
  • BSP10NH056SK1
    SGT
    TO220
    N
    100V
    130A
    5.6mΩ
    68nC
    4V
    4300pF
  • BSB10NH057SK1
    SGT
    D²PAK
    N
    100V
    120A
    5.7mΩ
    66.3nC
    4V
    3868pF
  • BSP10NH060SK1
    SGT
    TO220
    N
    100V
    115A
    6mΩ
    66.3nC
    4V
    3868pF
  • BSD10NL200SK1
    SGT
    DPAK
    N
    100V
    40A
    20mΩ
    16nC
    2.5V
    912pF
  • BST15NH039SK1
    SGT
    TOLL
    N
    150V
    250A
    3.9mΩ
    100nC
    4.5V
    6547pF
  • BSS15N086SA1
    SGT
    DFN5*6
    N
    150V
    84A
    8.6mΩ
    37nC
    4V
    2800pF
  • 上海(研发/应用/销售中心)

    地址:上海市长宁区金钟路658弄东华大学国家科技园2号楼B座5层

    邮箱:inquiry@bestirpower.com

    样品申请:17321390308

  • 深圳

    地址:龙岗区坂田街道天安云谷一期3栋C座1905室


  • 宁波工厂(工厂筹建中)

    地址:宁波市慈溪市高科大道新兴四路


  • 西安

    地址:未央区凤城九路海博广场2516室


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