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产品介绍
SJ MOSFET SiC MOSFET SiC Diode SGT MOS IGBT IGBT Module SiC Module Wafer TMBS
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SiC MOSFET

产品优势

● 更高的系统效率

● 较小的Eoss损耗能量,极低的开关损耗,芯片面积小

● 开关速度快,开关噪声低,更高频率适用性

● 抗雪崩能力强,可以承受更大的浪涌电流

● 芯片可靠性高,参数一致性好,较高的稳定性

● 具有超快恢复性能的体二极管

● 较低的FOM

● 100%通过晶圆级老化测试


SiC MOSFET提供了更好的设计灵活性,可实现高系统效率、更高的开关频率,从而以更高的可靠性减小系统尺寸。

  • Product
    Package
    VDS max
    RDS(on) typ
    VGS(th) typ
    ID @25℃
    QG
    Ciss
    Crss
    VSD

    typ

    trr
    样品申请
    Data Sheet
  • TO247-3
    TO247-4
    TO263-7
    DFN8*8
    TOLL
    D²PAK-7
    DPAK
    TO220F-3
    QDPAK
    TO247-4S
    650V
    750V
    800V
    1200V
    1700V
    2300V
    11mΩ
    13mΩ
    15mΩ
    16mΩ
    18mΩ
    20mΩ
    21mΩ
    25mΩ
    27mΩ
    30mΩ
    32mΩ
    35mΩ
    40mΩ
    45mΩ
    60mΩ
    65mΩ
    80mΩ
    95mΩ
    160mΩ
    190mΩ
    260mΩ
    320mΩ
    380mΩ
    650mΩ
    1000mΩ

      ●

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      ●

      |

      ●

  • BCT65N15M1
    TOLL
    650V
    15mΩ
    2.8V
    134A
    146nC
    3525pF
    16pF
    4.4V
    29.5ns
  • BCBF65N15M1
    D²PAK-7
    650V
    15mΩ
    2.8V
    126A
    146nC
    3525pF
    16pF
    4.4V
    29.5ns
  • BCW65N15M1
    TO247-3
    650V
    15mΩ
    2.8V
    117A
    146nC
    3525pF
    16pF
    4.4V
    29.5ns
  • BCZ65N15M1
    TO247-4
    650V
    15mΩ
    2.8V
    117A
    146nC
    3525pF
    16pF
    4.4V
    29.5ns
  • BCQ65N15M1
    QDPAK
    650V
    15mΩ
    2.8V
    190A
    146nC
    3525pF
    16pF
    4.4V
    29.5ns
  • BCBF65N25W1
    D²PAK-7
    650V
    25mΩ
    2.6V
    83.3A
    124nC
    2900pF
    10.1pF
    3.2V
    32ns
  • BCQ65N25W1
    QDPAK
    650V
    25mΩ
    2.6V
    88A
    124nC
    2900pF
    10.1pF
    3.2V
    32ns
  • BCT65N27M1
    TOLL
    650V
    27mΩ
    2.8V
    84A
    91nC
    1853pF
    10.5pF
    4.2V
    20ns
  • BCBF65N27M1
    D²PAK-7
    650V
    27mΩ
    2.8V
    74A
    91nC
    1853pF
    10.5pF
    4.2V
    20ns
  • BCW65N27M1
    TO247-3
    650V
    27mΩ
    2.8V
    75A
    91nC
    1853pF
    10.5pF
    4.2V
    20ns
  • BCZ65N27M1
    TO247-4
    650V
    27mΩ
    2.8V
    75A
    91nC
    1853pF
    10.5pF
    4.2V
    20ns
  • BCT65N45M2
    TOLL
    650V
    45mΩ
    2.8V
    51A
    55nC
    1238pF
    7.7pF
    4.4V
    17.9ns
  • BCBF65N45M1
    TO263-7
    650V
    45mΩ
    2.8V
    44A
    55nC
    1048pF
    9.1pF
    4.2V
    17ns
  • BCBF65N45M2
    D²PAK-7
    650V
    45mΩ
    2.8V
    48A
    55nC
    1238pF
    7.7pF
    4.4V
    17.9ns
  • BCW65N45M2
    TO247-3
    650V
    45mΩ
    2.8V
    45A
    55nC
    1238pF
    7.7pF
    4.4V
    17.9ns
  • BCZ65N45M2
    TO247-4
    650V
    45mΩ
    2.8V
    45A
    55nC
    1238pF
    7.7pF
    4.4V
    17.9ns
  • BCT65N45M1
    TOLL
    650V
    45mΩ
    2.8V
    44A
    55nC
    1048pF
    9.1pF
    4.2V
    17ns
  • BCW65N45M1
    TO247-3
    650V
    45mΩ
    2.8V
    44A
    55nC
    1048pF
    9.1pF
    4.2V
    17ns
  • BCZ65N45M1
    TO247-4
    650V
    45mΩ
    2.8V
    44A
    55nC
    1048pF
    9.1pF
    4.2V
    17ns
  • BCZS65N45M1
    TO247-4S
    650V
    45mΩ
    2.8V
    44A
    56nC
    1048pF
    9.1pF
    4.2V
    17ns
  • BCW65N65W1
    TO247-3
    650V
    65mΩ
    3V
    42A
    42nC
    914pF
    6.4pF
    3.3V
    13.4ns
  • BCZ65N65W1
    TO247-4
    650V
    65mΩ
    3V
    42A
    42nC
    914pF
    6.4pF
    3.3V
    13.4ns
  • BCBF65N95W1
    TO263-7
    650V
    95mΩ
    3.2V
    29A
    33nC
    765pF
    3pF
    3.6V
    12ns
  • BCD65N190Y1
    DPAK
    650V
    190mΩ
    3.9V
    19A
    15.3nC
    431pF
    3pF
    3.3V
    26ns
  • BCF65N190Y1
    TO220F-3
    650V
    190mΩ
    3.9V
    18A
    15.3nC
    431pF
    3pF
    3.3V
    26ns
  • BCD65N260Y1
    DPAK
    650V
    260mΩ
    4.1V
    15.5A
    12.5nC
    294pF
    4pF
    3.3V
    9.9ns
  • BCF65N260Y1
    TO220F-3
    650V
    260mΩ
    4.1V
    14.4A
    12.5nC
    294pF
    4pF
    3.3V
    9.9ns
  • BCD65N320Y1
    DPAK
    650V
    320mΩ
    3.7V
    10A
    9nC
    223pF
    3.6pF
    3.5V
    9.2ns
  • BCZ75N11W1
    TO247-4
    750V
    11mΩ
    2.75V
    165A
    222nC
    5546pF
    19.5pF
    3.5V
    19.8ns
  • BCD80N380W1
    DPAK
    800V
    380mΩ
    3.4V
    10A
    10.6nC
    208pF
    1.8pF
    4V
    23ns
  • BCF80N380W1
    TO220F-3
    800V
    380mΩ
    3.4V
    8A
    10.6nC
    208pF
    1.8pF
    4V
    23ns
  • BCW120N16M1
    TO247-3
    1200V
    16mΩ
    3V
    129A
    152nC
    4063pF
    3pF
    4V
    43ns
  • BCZ120N16M1
    TO247-4
    1200V
    16mΩ
    2.8V
    164A
    70.5nC
    6413pF
    9.3pF
    3.6V
    25.5ns
  • BCQ120N16M1
    QDPAK
    1200V
    16mΩ
    3V
    166A
    152nC
    4063pF
    3pF
    4V
    43ns
  • BCBF120N21M1
    TO263-7
    1200V
    21mΩ
    3V
    100A
    198nC
    3741pF
    17pF
    4.2V
    22ns
  • BCZ120N21M1
    TO247-4
    1200V
    21mΩ
    3V
    97A
    111nC
    2949pF
    5pF
    4V
    20ns
  • BCQ120N21M1
    QDPAK
    1200V
    21mΩ
    3V
    121A
    111nC
    2949pF
    2949pF
    4V
    20ns
  • BCZ120N30N1
    TO247-4
    1200V
    30mΩ
    2.9V
    77A
    102nC
    2410pF
    9.2pF
    3.9V
    25ns
  • BCZ120N35M2
    TO247-4
    1200V
    35mΩ
    3V
    72A
    122nC
    2476pF
    9pF
    4.4V
    11.4ns
  • BCW120N40M2
    TO247-3
    1200V
    40mΩ
    3V
    65.5A
    122nC
    2264pF
    5.6pF
    4.4V
    11.4ns
  • BCW120N40M1B
    TO247-3
    1200V
    40mΩ
    3V
    62A
    62nC
    1668pF
    4pF
    4.3V
    31ns
  • BCZ120N40M1B
    TO247-4
    1200V
    40mΩ
    3V
    62A
    62nC
    1168pF
    4pF
    4.3V
    15ns
  • BCZ120N40M2
    TO247-4
    1200V
    40mΩ
    3V
    65.5A
    122nC
    2264pF
    5.6pF
    4.7V
    11.4ns
  • BCBF120N80M1
    TO263-7
    1200V
    80mΩ
    3V
    34A
    50nC
    880pF
    5pF
    4.1V
    12ns
  • BCBF120N80M2
    D²PAK-7
    1200V
    80mΩ
    3V
    32A
    28nC
    807pF
    1pF
    4.3V
    11ns
  • BCW120N80M1
    TO247-3
    1200V
    80mΩ
    3V
    34A
    50nC
    885pF
    5pF
    4.1V
    34ns
  • BCZ120N80M1
    TO247-4
    1200V
    80mΩ
    3V
    34A
    52nC
    880pF
    5pF
    4.1V
    12ns
  • BCZ120N80M2
    TO247-4
    1200V
    80mΩ
    3V
    32A
    28nC
    807pF
    1pF
    4.3V
    11ns
  • BCL120N160W1
    DFN8*8
    1200V
    160mΩ
    3.4V
    22A
    40nC
    818pF
    8pF
    3.2V
    10ns
  • BCW120N160W1
    TO247-3
    1200V
    160mΩ
    3.4V
    22A
    40nC
    818pF
    8pF
    3.4V
    10ns
  • BCZ120N160W1
    TO247-4
    1200V
    160mΩ
    3.4V
    22A
    40nC
    818pF
    8pF
    3.2V
    10ns
  • BCZ170N13P1
    TO247-4
    1700V
    13mΩ
    3V
    119A
    295nC
    6395pF
    10.2pF
    3.2V
    21.3ns
  • BCZ170N40N1
    TO247-4
    1700V
    40mΩ
    2.7V
    60A
    142nC
    2840pF
    7.94pF
    4V
    19ns
  • BCZ170N45P1
    TO247-4
    1700V
    45mΩ
    3V
    60A
    172.5nC
    3446pF
    3pF
    4.1V
    18.4ns
  • BCZ170N80W1
    TO247-4
    1700V
    80mΩ
    3.2V
    29A
    72nC
    1442pF
    3.9pF
    3.7V
    14ns
  • BCBF170N1000P1
    D²PAK-7
    1700V
    1000mΩ
    3.1V
    5A
    16.2nC
    182pF
    1.8pF
    3.8V
    15.1ns
  • BCZ230N20N1
    TO247-4
    2300V
    20mΩ
    2.9V
    121A
    280nC
    6300pF
    15pF
    4.1V
    40ns
  • 上海(研发/应用/销售中心)

    地址:长宁区协和路789号中山国际广场B座605室

    邮箱:inquiry@bestirpower.com

    电话:17321390308

  • 深圳(应用/销售中心)

    地址:龙岗区坂田街道天安云谷一期3栋C座1905室

  • 重庆(应用/销售中心)

       

  • 西安(应用/销售中心)

    地址:未央区凤城九路海博广场2516室

  • 宁波工厂(制造中心/销售中心)

    地址:慈溪高新技术产业开发区新兴一路1号

  • 武汉(应用销售中心)

       

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