萃锦TMBS竞争优势
● 萃锦TMBS工艺基于12吋Fab厂，机台可靠性以及均匀性更具保障,产品质量和可靠性。
● 产品性能(相同的VR，更好的VF性能):VR>50V@IR<100uA,VF<0.46V@IF=30A。
● 未来产品会根据客户需求生产45V~100V产品,产品性能和技术指标。
● 价格更具优势, 12寸比6寸单位晶圆产生的有效芯片更多, 价格更具竞争力,产品价格和成本。
沟槽式MOS型肖特基势垒二极管(Trench MOS Barrier Schottky Diodes)具备更的正向导通压降，在电路中起整流、续流、反向保护等作用，应用于适配器、开关电源、充电器、太阳能电池、光伏等领域，兼顾成本情况下，可提高电源转化效率、降低发热、减小产品体积
