2022年6月6日 ，萃锦半导体生产出首款SiC模块样品，样品通过全部动静态参数测试，性能指标完全达到设计要求。

        该产品采用进口先进的1200V SiC MOSFET芯片、三相全桥拓扑结构，引入低感设计、双面银烧结、铜线键合、高温灌封等先进技术，具有低杂散电感、优异的热管理结构、超低损耗、高输出功率、高可靠性等特点。

● 极低的芯片损耗，实现Rdson低至1.63mΩ

● 车规级的封装设计，实现Tjop达175℃持续工作

● 优化的热管理设计，实现Rjf达0.105℃/W

● 基于AQG324标准的高可靠性设计

        该产品专为新能源汽车逆变器主驱设计，可显著提升逆变器的效率。该产品瞬态电流输出能力高达660A，实现逆变器功率等级到200kW以上，整车续航能力增加5-8%。为整车提供极强的动力输出，给司乘人员带来极致的出行体验。