萃锦半导体专业从事功率器件的研发、生产、销售和应用服务。公司拥有韩国、日本和本土技术团队及芯片代工资源，产品主要包括 600V 至 1700V 范围的硅基超结 Si SJ MOSFET、碳化硅 SiC MOSFET 等分立器件，主要应用于新能源充电桩、光伏、储能、风电、工业驱动、新能源车等场景和领域。
公司拥有成熟量产的 SiC、IGBT 和 MOSFET 超薄晶圆背面特色工艺，性能和参数对标国际一线产品；在芯片制造价值链上，可以提供“一站式 FSM+BGBM”中后道完整解决方案，MOSFET 晶圆减薄可达到 35 微米，达到国际领先技术水平。
公司研发中心和管理总部位于上海，在西安建有“电力电子应用中心”，在深圳建有销售中心，制造基地位于长三角工业制造中心城市宁波慈溪高新区，26,000 平米功率芯片制造厂房正在筹建中
★ 极低的开关损耗特性，Eon和Eoff指标已达业界最优；开关速度快；
★ 芯片面积小，Rsp和归一化HDFM指标可对标国际品牌，寄生电容小；
★ 较低的FOM ：栅极电荷QG x 导通电阻RDS(on)；
★ 快速的体二极管，无反向恢复损失；
★ 强大的耐雪崩能力；
可靠性测试
萃锦的SiC MOSFET在可靠性方面按照AEC-Q101标准1000小时试验，远超过工业应用500小时要求，除了100V的H3TRB测试，萃锦同时把反偏电压设置成80%的BVdss进行HV-H3TRB测试，3种应力的施加使早期的缺陷更容易暴露出来。HTRB测试同样以100%BVdss进行测试，优于业内80%BVdss的执行标准。在如此极端环境下SiC MOSFET产品经受住了各项挑战，依旧保持卓越性能。无论是工业领域还是电力应用，萃锦半导体产品均可作为性能良好的元器件，为客户提供可靠的解决方案，确保系统稳定运行。
碳化硅MPS二极管结合了Schottky二极管和PiN二极管的优良特性，实现了低导通压降、低关断漏电流和出色的抗浪涌能力。
SJ MOS系列能够为AC/DC和DC/DC应用提供高性能、高性价比和可靠的解决方案。多种不同封装类型的硬关断和软关断设计可供选择。
手机搜索
“上海新国际博览中心-W2号馆”
不见不散哦！
